Physics and technology of semiconductor devices
Tipo de material: TextoIdioma: Inglés Detalles de publicación: New York: John Wiley & Sons, 1967Descripción: xix, 366 páginas: gráficos, ilustraciones, tablas; 23 x 15 cmISBN:- 978-0-471-32999-1
- 621.38152 - Semiconductores
Contenidos:
Solid-state technology.-- Vapor-phase growth.-- Thermal oxidation.-- Solid-state diffusion.-- Semiconductors and semiconductor devices.-- Elements of semiconductor physics.-- Semiconductors under non-equilibrium conditions.-- p-n junctions.-- Junction transistors.-- Junction field-effect transistors.-- Surface effects and surface-controlled devices.-- Theory of semiconductor surfaces.-- Surface effects on p-n junction.-- Surface field-effect transistors.-- Properties of the silicon-silicon dioxide system.
Tipo de ítem | Biblioteca actual | Colección | Signatura | Estado | Fecha de vencimiento | Código de barras | |
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Libros | Unidad Académica de Ingeniería, Industria y Construcción | Carrera de Ingeniería Industrial A | 621.38152 G883p 6B00653 (Navegar estantería(Abre debajo)) | Disponible | 6B00653 |
Incluye índice alfabético.-- Bibliografía.
Solid-state technology.-- Vapor-phase growth.-- Thermal oxidation.-- Solid-state diffusion.-- Semiconductors and semiconductor devices.-- Elements of semiconductor physics.-- Semiconductors under non-equilibrium conditions.-- p-n junctions.-- Junction transistors.-- Junction field-effect transistors.-- Surface effects and surface-controlled devices.-- Theory of semiconductor surfaces.-- Surface effects on p-n junction.-- Surface field-effect transistors.-- Properties of the silicon-silicon dioxide system.
1967
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