Diodos y transistores
- Paraninfo Madrid, 1984
- vii, 469 páginas: gráficos, ilustraciones; 22 x 16 cm.
- T.2 .
Incluye índice.-- Apéndice.
Fenómenos físicos en los semiconductores.-- Propiedades características de los semiconductores.-- Diodos.-- Diodo de unión PN.-- Diodos de puntas.-- Análisis de la característica.-- Rotura de la unión.-- Influencia de la temperatura.-- Comparación entre los diodos de vacío y los de germanio.-- Resultados que se obtienen con un diodo de germanio y con uno de vacío en un circuito detector.-- Comportamiento en radiofrecuencia.-- Transistores.-- Transistores de unión.-- Tecnología del transistor.-- Comparación entre las válvulas y los transistores.-- Funcionamiento del transistor.-- Transistores PNP.-- Transistor NPN.-- Estudio de las familias de curvas características de un transistor.-- Parámetros de un transistor.-- Pendiente de un transistor.-- Mando de un transistor.-- Polarización de un transistor.-- Estabilidad térmica.-- Recta de carga.-- Transistor en radiofrecuencia.-- Transistor elemento pasivo.-- Estudio de las variaciones de los diferentes parámetros de radiofrecuencia de un transistor en función de la corriente de colector.-- Posibilidades de montaje de un transistor.-- Montaje emisor común.-- Montaje en base común.-- Montaje en colector común.-- Comparación entre los tres montajes.